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| 2～8GHz宽带GaN功率放大器MMIC | |
| 作者单位： | ;1.专用集成电路国家重点实验室;2.中国电子科技集团公司第十三研究所 |
| 摘 要： | 基于0.25μm Ga N HEMT工艺,研制了一款两级拓扑放大结构的2~8 GHz宽带功率放大器MMIC(单片微波集成电路)。MMIC所用Ga N HEMT器件结构经过优化,提高了放大器的可靠性和性能;电路采用多极点电抗匹配网络,扩展了放大器的带宽,减小了电路的损耗。测试结果表明,在2~8 GHz测试频带内,在脉冲偏压28 V(脉宽1 ms,占空比30%)时,峰值输出功率大于30 W,功率附加效率大于25%,小信号增益大于24 d B,输入电压驻波比在2.8以下,在6 GHz处的峰值输出功率达到50 W,功率附加效率达到40%;在稳态偏压28 V时,连续波饱和输出功率大于20 W,功率附加效率大于20%。尺寸为4.0 mm×5.0 mm。 |
| 关 键 词： | 氮化镓 功率放大器 2~8 GHz 单片微波集成电路 宽带 两级拓扑 |
2-8 GHz Ga N broadband monolithic power amplifier MMIC |
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| Keywords: | |