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| LCP基RF MEMS开关的工艺研究 | |
| 作者单位： | ;1.中国电子科技集团公司第54研究所;2.东南大学MEMS教育部重点实验室;3.河北诺亚人力资源开发有限公司 |
| 摘 要： | 在柔性LCP基板上制备RF MEMS开关,加工难度较大,影响开关质量的因素较多。主要研究影响LCP基RF MEMS开关加工质量的主要因素,寻找工艺过程控制解决方案。通过对关键工序的试验,对加工过程中的基板清洗、LCP基板覆铜面镀涂及整平、LCP基板无铜面溅射金属膜层、LCP基板平整度保持、二氧化硅膜层生长及图形化、牺牲层加工、薄膜微桥加工、牺牲层释放等工序进行了参数优化。研制的LCP基RF MEMS开关样件频率≤20 GHz、插入损耗≤0.5 d B,回波损耗≤-20 d B,隔离度≥20 d B,驱动电压30~50 V。该加工方法对柔性基板上可动结构的制造具有一定的借鉴价值。 |
| 关 键 词： | LCP基材 柔性 桥式RF MEMS开关 薄膜微桥 |
Processing Study on LCP RF MEMS Switch |
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