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| CMOS工艺中等离子体损伤WAT方法研究 | |
| 作者单位： | ;1.中国电子科技集团公司第58研究所 |
| 摘 要： | WAT(Wafer Accept Test)即硅圆片接收测试,就是在半导体硅片完成所有的制程工艺后,对硅圆片上的各种测试结构进行电性测试,它是反映产品质量的一种手段,是产品入库前对wafer进行的最后一道质量检验。随着半导体技术的发展,等离子体工艺已广泛应用于集成电路制造中,离子注入、干法刻蚀、干法去胶、UV辐射、薄膜淀积等都可能会引入等离子体损伤,而常规的WAT结构无法监测,可能导致器件的早期失效。设计了新的针对离子损伤的WAT检测结构,主要是缩小了栅端面积,在相同天线比的情况下天线所占面积呈几何级下降,使得评价结构放置在划片区变得可能。 |
| 关 键 词： | CMOS WAT 等离子体 损伤 半导体工艺 |
Studies on Testing Plasma Damages in WAT in CMOS Technology |
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