|
|||||
|
|
| 基于SiGe HBT的38GHz功率放大器设计 | |
| 作者单位： | ;1.中国科学院微电子研究所"新一代通信射频芯片技术"北京市重点实验室 |
| 摘 要： | 功率放大器(Power Amplifier,PA)是射频前端关键的模块,基于0.13μm SiGe HBT工艺,设计了一款38 GHz功率放大器。提出了HBT集电极寄生电容和传输线谐振的方法减小芯片面积,针对毫米波频段下,晶体管可获得最大增益较低,采用堆叠晶体管提高了功率放大器的增益,同时通过优化有源器件参数,提高了功率放大器的输出功率和效率。仿真结果显示,在4 V的供电电压下,工作在38 GHz的功率放大器1 dB压缩点输出功率为17.8 d Bm,功率增益为19.0 dB,功率附加效率为32.3%,功耗为252 mW。 |
| 关 键 词： | 功率放大器 38 GHz HBT 有源偏置 |
A 38 GHz power amplifier based on SiGe HBT process |
|
| Abstract: | |
| Keywords: | |