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| Gd_2O_3掺杂对BZT基陶瓷结构和介电性能的影响 | |
| 作者单位： | ;1.华北理工大学材料科学与工程学院河北省无机非金属材料重点实验室 |
| 摘 要： | 以碳酸钡、二氧化钛、二氧化锆等为主原料,以氧化钆为掺杂剂,采用传统固相法分别于1 250,1 280,1 300,1 330℃下制备了BaZr_(0.1)Ti_(0.9)O_3(BZT)+x Gd_2O_3(0≤x≤0.7%)陶瓷样品。XRD结果表明,Gd~(3+)掺杂后的陶瓷样品主晶相不变,均为钙钛矿结构。SEM结果表明,随着Gd3+掺杂量的增加,陶瓷的晶粒尺寸先减小后增大。陶瓷样品的体积密度和介电常数在x=0.2%,0.6%时出现较高值,介质损耗tanδ随Gd~(3+)掺杂量的增大呈减小趋势。Gd_2O_3掺杂改善了BZT陶瓷的介电温度特性,具有一定的移峰与压峰的作用。 |
| 关 键 词： | 氧化钆 锆钛酸钡 掺杂 固相反应法 体积密度 介电性能 |
Influence of Gd_2O_3 doping on structure and dielectric properties of barium zirconate titanate ceramic |
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| Abstract: | |
| Keywords: | |