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航空辐射环境SRAM存储芯片单粒子翻转实验综述
作者单位:;1.中国民航大学天津市民用航空器适航与维修重点实验室;2.中国民航大学安全科学与工程学院
摘    要:随着集成电子器件的快速发展,应用在航空电子系统中的SRAM型存储器件集成度也越来越高,尺寸越来越小,其发生单粒子翻转效应的可能性也越来越高,对航空飞行的可靠性和安全性带来严重的隐患。针对国外已有的SRAM型存储芯片的地面辐射实验、航空飞行实验结果进行归纳总结,分析SRAM存储芯片受单粒子翻转效应的影响以及失效特点。

关 键 词:单粒子翻转  SRAM  辐照实验  飞行实验

Review of single event upset experiences about SRAM memory chips in air radiation environment
Abstract:
Keywords:
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