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| 薄外延CMOS芯片阱掺杂浓度与击穿电压的关系 | |
| 作者单位： | ;1.中国电子科技集团公司第58研究所 |
| 摘 要： | CMOS电路由于寄生结构的影响,易于发生闩锁效应。主要通过流片实验测试验证,探讨了在外延厚度较薄的情况下阱掺杂浓度与击穿电压之间的关系。提出了在不改变外延厚度、保证芯片抗闩锁性能的前提下,提高CMOS器件击穿电压的方法。 |
| 关 键 词： | CMOS集成电路 闩锁效应 外延片 穿通击穿 |
Research of Relationship Between Well Doping Concentration and Breakdown Voltage in Thin-Epitaxy CMOS Chips |
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