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| 一种低功耗亚阈值全MOS管基准电压源的设计 | |
| 作者单位： | ;1.电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室 |
| 摘 要： | 分析了工作在亚阈值区、线性区和饱和区的MOS晶体管不同电流特性,设计了一种低功耗全MOS基准电压源电路。使用工作在线性区的MOS晶体管代替普通常规电阻,使整个电路实现全MOS基准源的特性,同时有效减小电路芯片面积,并且输出基准电压为线性区MOS管提供偏压以进一步降低功耗。基于SMIC 0.18μm CMOS工艺设计电路。仿真结果表明此电路在1.8 V电源电压下,–50~+150℃的温度系数为22.6×10–6/℃,基准电压源输出电压约为992 m V,25℃时静态电流为327.3 n A,电路总静态功耗为0.59μW,10 k Hz时的电源抑制比为–25.36 d B。 |
| 关 键 词： | 基准电压源 全MOSFET 亚阈值 低功耗 低温度系数 线性区 |
Design of a low power sub-threshold all MOSFET voltage reference |
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| Keywords: | |