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| 氧化物忆阻器材料及其阻变机理研究进展 | |
| 作者单位： | ;1.国防科技大学新型陶瓷纤维及其复合材料重点实验室 |
| 摘 要： | 忆阻器是目前材料和电子领域的研究前沿和热点,氧化物材料在忆阻器研究中具有重大价值。本文综述了近年来研究较多的几种典型氧化物忆阻器材料,包括TiO_2、SiO_x、HfO_x、Al_2O_3、ZnO、ZrO_2、TaOx以及ZnSnO_3等,并介绍了导电细丝机制、氧化还原机制、边界迁移机制以及相变机制等四种常见的阻变机理,展望了未来忆阻器材料研究的方向与重点。 |
| 关 键 词： | 氧化物材料 忆阻器 综述 阻变层 忆阻效应 阻变机理 |
Research progress of oxide memristive materials and resistance switching mechanism |
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