| C波段CMOS射频前端电路设计与实现 |
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| 引用本文： | 丘聪,叶青.C波段CMOS射频前端电路设计与实现[J].半导体技术,2009,34(2). |
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| 作者姓名： | 丘聪 叶青 |
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| 作者单位： | 中国科学院微电子研究所,北京,100029;中国科学院微电子研究所,北京,100029 |
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| 摘 要： | 设计了一款工作在C波段(4.2 GHz)的CMOS射频前端电路,电路包括低噪声放大器和Gilbert型有源双平衡混频器.其中低噪声放大器采用共源和共栅放大器方式,实现了单端输入到差分输出的变换;而混频器的输出端采用电感负载形式.电路采用SMIC 0.18μmRF工艺实现,测试结果表明,混频器的输出频率约为700 MHz,电路的功率增益为24 dB,单边带噪声指数为8 dB,在1.8 V工作电压下,电路总功耗为36 mW.
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| 关 键 词： | 超外差接收机 射频前端 低噪声放大器 混频器 |
Design and Complement of C-Band CMOS RF Front-End |
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| Qiu Cong,Ye Qing.Design and Complement of C-Band CMOS RF Front-End[J].Semiconductor Technology,2009,34(2). |
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| Authors: | Qiu Cong Ye Qing |
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| Affiliation: | Institute of Microelectronic of Chinese Academy of Sciences;Beijing 100029;China |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | superheterodyne receiver RF front-end LNA mixer |
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