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| X到Ku波段采用倒装法的砷化镓功率FET性能的改进 | |
| 引用本文： | Y.Mitsui,张俊杰.X到Ku波段采用倒装法的砷化镓功率FET性能的改进[J].微纳电子技术,1980(2). |
| 作者姓名： | Y.Mitsui 张俊杰 |
| 摘 要： | <正> 引言:随着砷化镓功率 FETI 艺的进展,在8千兆赫输出功率2.5瓦的器件,现在已经商品化了。然而,实现超过 X 波段具有足够增益和功率性能的器件仍然是困难的。在这些波段,一种新型的具有极其小的寄生电感和良好散热性能的砷化镓功率 FET 已经实现,改进了射频性能。已封装的器件得到了12千兆赫下4.1瓦和15千兆赫下2.5瓦的结果。器件结构:具有源电镀金属柱体和漏栅压点的芯片的电子扫描显微照片示于图1(a),每个单胞有1微米栅长和2400微米栅宽。栅宽的增加取决于对功率的要求。借 |
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