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| 半导体和集成电路无损显微分层内窥的新方法 | |
| 引用本文： | 肖玲,李亚文,梁竹关,李萍,徐晓华,王建,周开邻,РАУ Э.И.,胡问国. 半导体和集成电路无损显微分层内窥的新方法[J]. 电子显微学报, 2000, 19(4): 585-586 |
| 作者姓名： | 肖玲 李亚文 梁竹关 李萍 徐晓华 王建 周开邻 РАУ Э.И. 胡问国 |
| 作者单位： | 1. 云南大学物理系 2. 昆明物理研究所 3. 俄罗斯 |
| 基金项目： | 国家科学技术部,国家自然科学基金委员会，云南省应用基础研究基金委员会资助研究项目 |
| 摘 要： | 本文中我们首次在这里公布近些年来我们对半导体材料及微电子器件进行无损显微分层内窥新方法(简称显微分层内窥法)的一些电子显微镜照片及研究结果。这个方法目前已可应用到对半导体材料的亚表面层内的微结构和缺陷进行检测。亚表面层内的微结构状况和缺陷的有无及多少,将直接地决定着用这些材料制作的微电子器件的质量。对亚表面层内有缺陷的半导体材料可以用我们按照显微分层内窥法研制成的扫描电子显微镜(SEM)的专用附件——托莫(下称SETM)来加装到SEM上,对投料生产微电子器件前的半导体材料的亚表面层进行无损显微分层内窥检测,筛… |
| 关 键 词： | 半导体材料 集成电路 无损显微分层内窥法 |
The new method about nondestructive microtomography of the internal of semiconductors and IC |
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| Abstract: | |
| Keywords: | |
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