| 倒装SRAM型FPGA单粒子效应防护设计验证 |
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| 引用本文： | 张庆祥,李衍存,贾晓宇,王 颖,郑玉展,秦珊珊,蔡震波.倒装SRAM型FPGA单粒子效应防护设计验证[J].太赫兹科学与电子信息学报,2016,14(6):985-990. |
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| 作者姓名： | 张庆祥 李衍存 贾晓宇 王 颖 郑玉展 秦珊珊 蔡震波 |
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| 作者单位： | Institute of Spacecraft System Engineering，China Academy of Space Technology，Beijing 100094，China,Institute of Spacecraft System Engineering，China Academy of Space Technology，Beijing 100094，China,Institute of Spacecraft System Engineering，China Academy of Space Technology，Beijing 100094，China,Institute of Spacecraft System Engineering，China Academy of Space Technology，Beijing 100094，China,Institute of Spacecraft System Engineering，China Academy of Space Technology，Beijing 100094，China,Institute of Spacecraft System Engineering，China Academy of Space Technology，Beijing 100094，China and Institute of Spacecraft System Engineering，China Academy of Space Technology，Beijing 100094，China |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金资助项目(11675013) |
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| 摘 要： | 在倒装芯片的单粒子效应防护设计验证中，重离子在到达器件敏感区前要经过几百微米的衬底材料，需要计算器件敏感区中离子的线性能量传输(LET)值。采用兰州重离子加速器加速的55 MeV/μ58Ni离子对基于倒装的Xilinx公司550万门现场可编程门阵列(FPGA)实现的典型系统的单粒子效应防护设计进行了试验验证，采用SRIM、FLUKA和GEANT等不同方法对试验中的LET值进行了分析，同时将SRIM分析的典型结果与基于磁偏转飞行时间法的试验数据进行了比较，发现与现有的重离子分析结果有一定差异。因此在防护验证中采用离子LET作为主要参数的情况下，应对重离子(尤其是高能段)的LET的计算方法进行约定，以规范试验过程，增强数据的可比性。
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| 关 键 词： | 静态随机存储器型现场可编程门阵列 倒装芯片 单粒子效应 重离子 线性能量传输 |
| 收稿时间： | 7/8/2015 12:00:00 AM |
| 修稿时间： | 2015/8/19 0:00:00 |
Verification of single event effect mitigation for typical application on flip-chip SRAM-based FPGA by using heavy ions |
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| ZHANG Qingxiang,LI Yancun,JIA Xiaoyu,WANG Ying,ZHENG Yuzhan,QIN Shanshan and CAI Zhenbo.Verification of single event effect mitigation for typical application on flip-chip SRAM-based FPGA by using heavy ions[J].Journal of Terahertz Science and Electronic Information Technology,2016,14(6):985-990. |
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| Authors: | ZHANG Qingxiang LI Yancun JIA Xiaoyu WANG Ying ZHENG Yuzhan QIN Shanshan and CAI Zhenbo |
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