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三维阻变存储器的研究进展
作者姓名:高代法  王晓荃  王悦  尹家宇  陈铖颖
作者单位:厦门理工学院光电与通信工程学院
基金项目:国家自然科学基金资助项目(61704143);;福建省自然科学基金面上项目(2018J01566);
摘    要:在我国信息产业高速发展的今天,传统存储器难以满足目前的数据存储需求,亟需发展新一代高性能存储器。阻变存储器(RRAM)因其具有结构简单、功耗低、集成密度高、读/写速度快等优势,被认为是最具发展潜力的新兴存储器之一。综述了三维RRAM的发展现状,分析了现阶段三维RRAM面临的漏电流、热串扰、均一性、可靠性等问题,重点探讨了针对以上问题的解决方案,并对于RRAM未来的应用前景进行了分析和预测,认为其在替代传统存储器、神经网络计算、芯片加密防护等方面有重要的应用前景。

关 键 词:三维阻变存储器(3D-RRAM)  漏电流  热串扰  均一性  可靠性
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