激光脉冲沉积制备钛酸锶钡薄膜及其介电调协特性 |
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作者姓名: | 熊惠芳 蒋力立 刘秋香 |
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作者单位: | [1]广东工业大学物理与光电工程学院,广东广州510006 [2]广东工业大学试验中心,广东广州510006 |
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基金项目: | 基金项目:广东省自然科学基金资助课题(05001825) |
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摘 要: | 在Pt(111)/Ti/SiO2/Si(100)衬底上,用脉冲激光沉积工艺制备出了高度a轴取向生长的(Ba0.65Sr0.35)TiO3(BsT)薄膜。薄膜为柱状生长的纳米晶粒,平均晶粒尺寸为50nm。在外加电场254kV/cm时,BST薄膜的相对介电常数与介电调谐率为810和76.3%。高的介电调谐率主要是BST薄膜具有高度a轴取向的柱状生长晶粒,因为来自沿平面c轴极化而产生的内部应力,在电场作用下,获得了高介电调谐率。
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关 键 词: | 钛酸锶钡薄膜 脉冲激光沉积 介电调谐特性 |
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