| 整平剂及电流密度对电子封装用铜微凸点电镀的影响 |
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| 引用本文： | 李超,孙江燕,韩赢,曹海勇,孙红旗,李明. 整平剂及电流密度对电子封装用铜微凸点电镀的影响[J]. 电镀与涂饰, 2012, 31(12) |
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| 作者姓名： | 李超 孙江燕 韩赢 曹海勇 孙红旗 李明 |
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| 作者单位： | 1. 上海交通大学材料科学与工程学院,上海,200240
2. 上海新阳半导体材料股份有限公司,上海,201616 |
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| 基金项目： | 科技部国家02重大科技专项项目 |
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| 摘 要： | 研究了宏观整平剂、微观整平剂及电流密度对铜微凸点表面平整性的影响,探讨了2种整平剂和电流密度对铜微凸点表面的作用机制.镀液组成和工艺参数为:CuSO475 g/L,H2SO4100 g/L,Cl-50 mg/L,整平剂H和W0～10 mg/L,(25±2)℃,60 r/min,1～8A/dm2,35 min.结果表明,宏观整平剂可促进铜的沉积,微观整平剂则可抑制铜的沉积,二者相互配合可改变电镀过程中镀孔的电力线分布,使电流密度分布均匀.在一定范围内提高电流密度可加快铜微凸点的生长.在6 A/dm2下,2种整平剂的质量浓度均为5 mg/L时,可制得结晶细腻、表面平整的铜微凸点.
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| 关 键 词： | 铜微凸点 电镀 整平剂 电子封装 表面形貌 |
Effects of leveling agent and current density on copper micro-bump plating for electronic packaging |
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| LI Chao , SUN Jiang-yan , HAN Ying , CAO Hai-yong , SUN Hong-qi , LI Ming. Effects of leveling agent and current density on copper micro-bump plating for electronic packaging[J]. Electroplating & Finishing, 2012, 31(12) |
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| Authors: | LI Chao SUN Jiang-yan HAN Ying CAO Hai-yong SUN Hong-qi LI Ming |
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