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| 新型MOS氧化层TiO2薄膜 | |
| 引用本文： | 张良,陆鸣,王民,许效红.新型MOS氧化层TiO2薄膜[J].压电与声光,2003,25(6):494-496. |
| 作者姓名： | 张良 陆鸣 王民 许效红 |
| 作者单位： | 1. 上海交通大学,微纳米院微电子所,上海,200052 2. 山东大学,晶体所,济南,250100 |
| 摘 要： | 采用低压MOCVD法在(111)取向硅基上制备了TiO2薄膜代替通常MOS结构的SiO2，并测量了TiO2薄膜的介电常数、表面固定电荷密度和电阻率．与SiO2作比较，结果表明：TiO2的MOS结构比SiO2具有更优良的性质．更适应于超大规模集成电路制造。 |
| 关 键 词： | TiO2薄膜 MOS结构 介电常数 电阻率 表面固定电荷密度 |
| 文章编号： | 1004-2474(2003)06-0494-03 |
| 修稿时间： | 2002年8月7日 |
New Oxide Layer of TiO2 Thin Film in MOS Strucfure |
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