| SOI LDMOS栅漏电容特性的研究 |
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| 引用本文： | 俞军军,孙伟锋,易扬波,李海松,陆生礼. SOI LDMOS栅漏电容特性的研究[J]. 微电子学, 2005, 35(4): 352-356 |
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| 作者姓名： | 俞军军 孙伟锋 易扬波 李海松 陆生礼 |
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| 作者单位： | 东南大学,国家ASIC系统工程技术研究中心,江苏,南京,210096 |
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| 基金项目： | 国家高技术研究发展计划(863计划) |
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| 摘 要： | 借助软件,模拟并研究了SOI LDMOS栅漏电容Cgd与栅源电压Vgs和漏源电压Vds的关系;研究了栅氧化层厚度,漂移区注入剂量,P阱注入剂量,SOI厚度,场板长度等五个结构工艺参数对Cgd的影响;提出了减小SOI LDMOS栅漏电容Cgd的各参数调节方法.
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| 关 键 词： | 栅漏电容 栅氧化层 漂移区 P阱 |
| 文章编号： | 1004-3365（2005）04-0352-05 |
| 收稿时间： | 2004-09-27 |
| 修稿时间： | 2004-09-27 |
An Investigation into Gate-Drain Capacitance Characteristics of SOI LDMOS |
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| YU Jun-jun,SUN Wei-feng,YI Yang-bo,LI Hai-song,LU Sheng-li. An Investigation into Gate-Drain Capacitance Characteristics of SOI LDMOS[J]. Microelectronics, 2005, 35(4): 352-356 |
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| Authors: | YU Jun-jun SUN Wei-feng YI Yang-bo LI Hai-song LU Sheng-li |
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| Abstract: | The relationship between gate-drain capacitance (C_ gd ) of SOI LDMOS and gate-source voltage (V_ gs ) and drain-source voltage (V_ ds ) is investigated. Effects of the thickness of gate oxide and SOI layer, implant dosages of the drift region and P-well, and the field-plate length on C_ gd are also discussed. And finally, the method to reduce C_ gd of SOI LDMOS is proposed. |
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| Keywords: | SOI LDMOS |
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