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| 高性能氮化镓(GaN)基电子材料 | |
| 摘 要： | 技术开发单位中国科学院半导体研究所技术简介该材料采用金属有机化学气相沉积(MOCVD)法,在蓝宝石或碳化硅衬底上外延生长高性能GaN基电子材料,为《军用技术转民用推广目录(2012年度)》中微电子与电子信息领域的重点推荐项目。 |
| 关 键 词： | 电子材料 高性能 功率器件 氮化镓 材料性能 金属有机化学气相沉积 高电子迁移率晶体管 单片微波集成电路 推广 技术简介 |
| 本文献已被 CNKI 等数据库收录！ | |
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