首页
|
本学科首页
官方微博
|
高级检索
全部学科
医药、卫生
生物科学
工业技术
交通运输
航空、航天
环境科学、安全科学
自然科学总论
数理科学和化学
天文学、地球科学
农业科学
哲学、宗教
社会科学总论
政治、法律
军事
经济
历史、地理
语言、文字
文学
艺术
文化、科学、教育、体育
马列毛邓
全部专业
中文标题
英文标题
中文关键词
英文关键词
中文摘要
英文摘要
作者中文名
作者英文名
单位中文名
单位英文名
基金中文名
基金英文名
杂志中文名
杂志英文名
栏目中文名
栏目英文名
DOI
责任编辑
分类号
杂志ISSN号
高性能氮化镓(GaN)基电子材料
摘 要:
技术开发单位中国科学院半导体研究所技术简介该材料采用金属有机化学气相沉积(MOCVD)法,在蓝宝石或碳化硅衬底上外延生长高性能GaN基电子材料,为《军用技术转民用推广目录(2012年度)》中微电子与电子信息领域的重点推荐项目。
关 键 词:
电子材料
高性能
功率器件
氮化镓
材料性能
金属有机化学气相沉积
高电子迁移率晶体管
单片微波集成电路
推广
技术简介
本文献已被
CNKI
等数据库收录!
设为首页
|
免责声明
|
关于勤云
|
加入收藏
Copyright
©
北京勤云科技发展有限公司
京ICP备09084417号