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RE—TM磁光记录薄膜的磁场电效应研究
引用本文:
胡用时,缪向水,等.RE—TM磁光记录薄膜的磁场电效应研究[J].功能材料,1995,26(3):217-219.
作者姓名:
胡用时
缪向水
摘 要:
研究了磁性薄膜场电效应的测试方法,RE-TM磁光薄膜的测试样品制备、样品的磁场电效应(霍尔效应和磁阻效应)及其温度特性,实验结果表明,制备的TbFeCo薄膜的补偿点约为-38℃。
关 键 词:
RE-TM磁光记录薄膜
磁场电效应
霍尔效应
磁阻效应
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