用Sol—Gel法制备PZT铁电陶瓷及薄膜 |
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作者姓名: | 阎培渝 苏涛 等 |
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摘 要: | 用Sol-Gel法制备了Pb(Zr0.5Ti0.5)O3(PZT)铁电陶瓷与薄膜,观察了它们的结晶情况并测定了它们的电学性能。利用Sol-Gel法,可降低PZT陶瓷粉料的预烧温度约200℃,所得陶瓷致密,晶粒均匀;具有较好的介电性能。PZT陶瓷显示弥散相变特征,PZT薄膜的晶化受基底影响很大,基底晶格越完整,与PZT薄膜的晶格失配率越小,PZT薄膜的晶化就越。采用PbTiO3过渡层促进PZT薄膜在镀铂硅片上晶化。PbTiO3过渡层与PZT薄膜的串联电路,其表观电学性能与相应的PZT体材料相近。
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关 键 词: | Sol-Gel法 PZT 铁电陶瓷 铁电薄膜 |
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