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掺锑a—Fe2O3的结构和性能
引用本文:张瑞芳,张天舒.掺锑a—Fe2O3的结构和性能[J].功能材料,1995,26(4):302-304,308.
作者姓名:张瑞芳  张天舒
摘    要:用化学共沉淀与固相反应相结合的方法,在a-Fe2O3中掺入一定量的锑离子。X射线衍射(XRD)分析表明,掺锑量(Sb/Fe原子比)小于0.2,材料仍保持a-Fe2O3的晶体结构,但是加入量〉0.2时,有铁、锑复合氧化物生成。通过分析Sb的掺入对a-Fe2O3的晶粒生长及电学性质的影响,认为该系列材料的气敏性能有大幅度的提高,是锑的掺入改变了a-Fe2O3的气敏机理。

关 键 词:化合物半导体  掺杂  共沉淀  掺锑  气敏元件
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