掺锑a—Fe2O3的结构和性能 |
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引用本文: | 张瑞芳,张天舒.掺锑a—Fe2O3的结构和性能[J].功能材料,1995,26(4):302-304,308. |
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作者姓名: | 张瑞芳 张天舒 |
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摘 要: | 用化学共沉淀与固相反应相结合的方法,在a-Fe2O3中掺入一定量的锑离子。X射线衍射(XRD)分析表明,掺锑量(Sb/Fe原子比)小于0.2,材料仍保持a-Fe2O3的晶体结构,但是加入量〉0.2时,有铁、锑复合氧化物生成。通过分析Sb的掺入对a-Fe2O3的晶粒生长及电学性质的影响,认为该系列材料的气敏性能有大幅度的提高,是锑的掺入改变了a-Fe2O3的气敏机理。
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关 键 词: | 化合物半导体 掺杂 共沉淀 掺锑 气敏元件 |
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