碳化硅MOSFET静态特征参数及寄生电容的高温特性研究 |
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引用本文: | 徐鹏,柯俊吉,赵志斌,谢宗奎,魏昌俊.碳化硅MOSFET静态特征参数及寄生电容的高温特性研究[J].华北电力大学学报,2018(4). |
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作者姓名: | 徐鹏 柯俊吉 赵志斌 谢宗奎 魏昌俊 |
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作者单位: | 华北电力大学新能源电力系统国家重点实验室 |
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摘 要: | 为了获取碳化硅(Si C)MOSFET功率器件静态特性及寄生电容随温度的变化规律,以Cree公司第二代1200V/36A碳化硅MOSFET为研究对象,利用Agilent B1505A功率器件分析仪/曲线追踪仪在不同温度下对器件的静态特性及寄生电容进行测量。并基于已有硅(Si)MOSFET的静态特性理论,结合碳化硅材料的温度特性,详细分析了碳化硅MOSFET静态特征参数的温度特性。研究结果表明碳化硅MOSFET的跨导具有与硅器件完全不同的温度特性,并且相比于第一代碳化硅MOSFET,第二代器件的泄漏电流表现出更低的温度依赖性。然而随着温度升高,第二代碳化硅MOSFET的导通电阻较第一代增长更快,但增长依旧远低于硅MOSFET。
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