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| HSE06方法研究CaB_6电子结构、成键特性以及理论光学性质 | |
| 引用本文： | 徐娟娟,陈晨,杨洪军.HSE06方法研究CaB_6电子结构、成键特性以及理论光学性质[J].中北大学学报,2018(2). |
| 作者姓名： | 徐娟娟 陈晨 杨洪军 |
| 作者单位： | 内蒙古大学满洲里学院;吉林大学仪器科学与电子科学工程学院 |
| 摘 要： | 采用第一性原理的HSE06杂化泛函方法计算了CaB_6的电子结构、成键特性及理论光学性质,并与广义梯度近似法(GGA)的计算结果进行了对比.计算结果表明,CaB_6是一个带隙为0.745eV的直接带隙半导体,HSE06方法计算结果与实验结果吻合得更好.其费米面附近的价带和导带主要来自于B的2p态电子和Ca的3d态电子的贡献.Mulliken电荷布局分析表明,采用GGA-PBE和HSE06方法计算得到从Ca到B的电荷转移分别为1.74e和1.87e,说明CaB_6中离子键和共价键共存.采用HSE06方法计算得到的介电函数虚部的峰比GGA-PBE方法得到的峰位于更高能量处,这与HSE06方法中能带变宽有关. |
| 本文献已被 CNKI 等数据库收录！ | |