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| BCD(Bipolar-CMOS-DMOS)工艺技术的发展、现状及展望 | |
| 引用本文： | 陈铭.BCD(Bipolar-CMOS-DMOS)工艺技术的发展、现状及展望[J].集成电路应用,2014(7):24-28. |
| 作者姓名： | 陈铭 |
| 作者单位： | 上海贝岭股份有限公司,上海200233 |
| 基金项目： | 工信部集成电路产业研究与开发项目《0.5μm BCD工艺平台建立》的支持 |
| 摘 要： | BCD工艺技术是符合扩展摩尔定律功能多样化发展的重要模拟集成电路技术。经过近三十年的发展,BCD工艺技术在特征尺寸缩小、高压器件的结构设计与优化、高低压隔离技术和金属互联的改进等方面取得巨大进步。本文简要介绍了BCD工艺技术的组成及特点,总结了BCD工艺技术的主要发展,对全球的开发现状进行了总结,并对BCD工艺技术的进一步发展进行了展望。 |
| 关 键 词： | BCD工艺技术 扩展摩尔定律 BCD process technology SOI-BCD |
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