HfO2薄膜的亲疏水性对石墨烯沉积的影响

研究了在不同表面润湿性的HfO₂薄膜上沉积石墨烯的质量，判断了不同表面能大小碳原子的沉积方向。采用电子束工艺制备不同生长时间的HfO₂薄膜，经过静态接触角测量可知，所有HfO₂薄膜均为疏水性，且随着薄膜厚度的增加，表面疏水性加强。再通过等离子体化学气相沉积工艺在HfO₂样品表面制备石墨烯薄膜。通过拉曼测试得出，表面中性润湿性基底对于碳沉积密度贡献不大；表面微疏水性基底对于碳原子总沉积量增益不大，但是对于形成sp²轨道的碳碳双键则增强明显，原因主要是由于碳原子在表面横向迁移的作用增强，从而形成大面积石墨烯薄膜。