气溶胶沉积制备SmFeN薄膜磁体

厚度约为100～300μm的薄膜型稀土磁体，在轻型汽车和电磁器件方面的需求量日益增长。有关400μm厚度的SmFeN粘结磁体和厚度200μm的NdFeB烧结磁体已有所报道。因为机械制造方法对于薄膜磁体表面所造成的损伤缺陷会严重损害其磁性能。另一方面，溅射方法能够制取表面状态良好的薄膜磁体，但难以获得高的沉积速度，脉冲激光沉积法在制备稀土薄膜磁体时虽然沉积速度高但仍难以制备优质的薄膜磁体。