| 用改进的RTP低温制备柱状硅薄膜 |
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| 引用本文： | 张丽伟,李红菊,李瑞,卢景霄,张宇翔,王新昌.用改进的RTP低温制备柱状硅薄膜[J].半导体光电,2007,28(4):531-533. |
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| 作者姓名： | 张丽伟 李红菊 李瑞 卢景霄 张宇翔 王新昌 |
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| 作者单位： | 郑州大学,教育部材料物理重点实验室,河南,郑州,450052;新乡师范高等专科学校,河南,新乡,453000;郑州大学,教育部材料物理重点实验室,河南,郑州,450052;河南工业大学,化工学院,河南,郑州,450042 |
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| 基金项目： | 国家重点基础研究发展计划(973计划) |
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| 摘 要： | 用射频等离子体增强化学气相沉积(RF-PECVD)系统在普通玻璃衬底上制备了氢化非晶硅薄膜(a-Si:H),用改进的快速光热退火炉(RTP)对薄膜进行了低温下的退火处理.借助于扫描电子显微镜(SEM)对薄膜表面形貌的分析得知:本实验在600℃下成功制备了柱状结构多晶硅薄膜;相对来说,550℃退火60 s的柱晶效果最好;最大柱晶宽度达到了240 nm;结晶次序为从表面到内部.对实验结果进行了解释.
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| 关 键 词： | 硅薄膜 柱状结晶 快速热退火 扫描电子显微镜 |
| 文章编号： | 1001-5868（2007）02-0531-03 |
| 修稿时间： | 2007-01-18 |
Fabrication of Columnar Silicon Thin Film at Low Temperature by Improved RTP |
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| ZHANG Li-wei,LI Hong-ju,LI Rui,LU Jing-xiao,ZHANG Yu-xiang,WANG Xin-chang.Fabrication of Columnar Silicon Thin Film at Low Temperature by Improved RTP[J].Semiconductor Optoelectronics,2007,28(4):531-533. |
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| Authors: | ZHANG Li-wei LI Hong-ju LI Rui LU Jing-xiao ZHANG Yu-xiang WANG Xin-chang |
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| Affiliation: | 1. Key Lab. of Material Physics of Ministry of Education, Zhengzhou University, Zhengzhou 450052, CHN ; 2. Xinxiang Teachers College,Xinxiang 453000, CHN; 3. Henan University of Technology, Zhengzhou 450042,CHN |
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