| 用标度理论和蒙特卡洛方法研究微晶硅薄膜的生长机制 |
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| 引用本文： | 訾威,周玉琴,刘丰珍,朱美芳.用标度理论和蒙特卡洛方法研究微晶硅薄膜的生长机制[J].半导体学报,2008,29(8):1465-1468. |
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| 作者姓名： | 訾威 周玉琴 刘丰珍 朱美芳 |
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| 作者单位： | 中国科学院研究生院 物理科学学院，北京 100049;中国科学院研究生院 物理科学学院，北京 100049;中国科学院研究生院 物理科学学院，北京 100049;中国科学院研究生院 物理科学学院，北京 100049 |
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| 基金项目： | 国家高技术研究发展计划(863计划)，国家重点基础研究发展计划(973计划)，国家自然科学基金 |
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| 摘 要： | 使用热丝化学气相沉积技术制备微晶硅薄膜(沉积速度为1.2nm/s),通过原子力显微镜研究了薄膜前期生长的粗糙化过程.按照标度理论获得微晶硅薄膜的生长因子为β≈O.67,粗糙度因子为α≈O.80,动力学因子为1/z=0.40.这些标度指数不能用一般的生长模型来解释.通过蒙特卡罗模拟给出与实验一致的结果.模拟表明,入射流方向、生长基元的类型和浓度、生长基元的粘滞、再发射和影蔽过程都对微晶硅薄膜的表面形貌有比较重要的影响.
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| 关 键 词： | 微晶硅薄膜 生长机制 标度理论 蒙特卡罗方法 再发射模型 |
| 收稿时间： | 1/29/2008 4:48:08 PM |
| 修稿时间： | 4/1/2008 5:33:38 PM |
Growth Mechanism of Microcrystalline Silicon Films by Scaling Theory and Monte Carlo Simulation |
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| Zi Wei,Zhou Yuqin,Liu Fengzhen and Zhu Meifang.Growth Mechanism of Microcrystalline Silicon Films by Scaling Theory and Monte Carlo Simulation[J].Chinese Journal of Semiconductors,2008,29(8):1465-1468. |
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| Authors: | Zi Wei Zhou Yuqin Liu Fengzhen and Zhu Meifang |
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| Affiliation: | College of Physical Science,Graduate University of the Chinese Academy of Sciences,Beijing 100049,China;College of Physical Science,Graduate University of the Chinese Academy of Sciences,Beijing 100049,China;College of Physical Science,Graduate University of the Chinese Academy of Sciences,Beijing 100049,China;College of Physical Science,Graduate University of the Chinese Academy of Sciences,Beijing 100049,China |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | uc-Si:H growth mechanism scaling theory Monte Carlo simulations reemission process |
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