| AlGaN/GaN MSM紫外探测器特性 |
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| 引用本文： | 周劲,郝一龙,武国英,杨志坚,张国义.AlGaN/GaN MSM紫外探测器特性[J].半导体学报,2005,26(13):247-251. |
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| 作者姓名： | 周劲 郝一龙 武国英 杨志坚 张国义 |
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| 作者单位： | 北京大学微电子学研究所，北京 100871;北京大学微电子学研究所，北京 100871;北京大学微电子学研究所，北京 100871;北京大学物理系，北京 100871;北京大学物理系，北京 100871 |
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| 摘 要： | 在蓝宝石衬底上，用MOCVD（金属有机物气相沉积）法外延生长AlGaN/GaN异质结样品. 溅射Ti/Al/Ni/Au和Ni/Au金属膜，在氮气气氛中高温快速退火，分别与样品形成欧姆接触和肖特基接触. 随着退火时间的增加，MSM（金属-半导体-金属）结构的I-V特性曲线保持良好的对称性，但C-V曲线逐渐失去其对称性. MSM探测器的紫外响应曲线具有良好的对比度和选择性，出现明显的光电导增益效应.
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| 关 键 词： | AlGaN/GaN MSM 肖特基 紫外响应曲线 |
Properties of Schottky Contact in MSM UV Detectors Based on AlGaN/GaN Heterostructure |
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| Zhou Jin,Hao Yilong,Wu Guoying,Yang Zhijian and Zhang Guoyi.Properties of Schottky Contact in MSM UV Detectors Based on AlGaN/GaN Heterostructure[J].Chinese Journal of Semiconductors,2005,26(13):247-251. |
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| Authors: | Zhou Jin Hao Yilong Wu Guoying Yang Zhijian and Zhang Guoyi |
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| Affiliation: | Institute of Microelectronics,Peking University,Beijing 100871,China;Institute of Microelectronics,Peking University,Beijing 100871,China;Institute of Microelectronics,Peking University,Beijing 100871,China;Department of Physics,Peking University,Beijing 100871, China;Department of Physics,Peking University,Beijing 100871, China |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | AlGaN/GaN MSM Schottky contact UV response |
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