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| 单晶硅和纳米晶硅空带的NEXAFS理论研究 | |
| 引用本文： | 唐景昌,胡晓风.单晶硅和纳米晶硅空带的NEXAFS理论研究[J].真空科学与技术,1997,17(1):1-6. |
| 作者姓名： | 唐景昌 胡晓风 |
| 摘 要： | 利用多重散射团簇方法计算了单晶硅的Ｋ边ＮＥＸＡＦＳ谱，研究显示ＮＥＸＡＦＳ谱包含了导带态密度的信息。同时在模拟ｃ－Ｓｉ的团簇引入一定数量的空位，构造了纳米晶硅的模型，ＭＳＣ计算证实吸收边位置上升约０．５ｅＶ，说明纳米晶硅的禁带比ｃ－Ｓｉ的展宽了。 |
| 关 键 词： | 单晶硅 纳米晶硅 空带 硅 半导体 |
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