Ti/AlN快速退火界面反应的实验研究 |
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作者姓名: | 陈新 王佑祥 |
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摘 要: | 在电子封装用的AlN陶瓷多晶衬底上生长250nm的Ti膜,并进行快速退火。用RBS(卢瑟福背散剂)、AES(俄歇有谱)、SIMS(干净人离子质谱)XRD(X射线衍射)等实验技术对界面反应进行了分析研究,用划痕实验测量了退火对Ti/AlN粘附力的影响。实验结果表明:快速退火时,Ti,Al,N以及AlN中掺杂的O均发生明显的界面扩散和界面反应,样品表面的O和AlN衬底中掺杂的O都向Ti膜中扩散,在较低
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关 键 词: | 电子封装 界面反应 二次离子质谱 钛 薄膜 |
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