| 高速沉积μc-Si:H薄膜生长机制及其微结构的研究 |
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| 引用本文： | 韩晓艳,耿新华,郭群超,袁育杰,候国付,魏长春,张晓丹,孙建,薛俊明,赵颖,蔡宁,任慧志,张德坤.高速沉积μc-Si:H薄膜生长机制及其微结构的研究[J].光电子．激光,2008,19(1):54-57. |
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| 作者姓名： | 韩晓艳 耿新华 郭群超 袁育杰 候国付 魏长春 张晓丹 孙建 薛俊明 赵颖 蔡宁 任慧志 张德坤 |
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| 作者单位： | 南开大学光电子薄膜器件与技术研究所,光电信息技术科学教育部重点实验室,光电子薄膜器件与技术天津市重点实验室,天津,300071 |
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| 基金项目： | 国家重点基础研究发展计划(973计划) |
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| 摘 要： | 采用高压高功率的超高频等离子体增强化学气相沉积(VHF-PECVD)技术,在腐蚀后的7059玻璃、低晶化和高晶化的微晶硅(μc-Si:H)p型材料3种衬底上,通过改变沉积时间的方法,高速(沉积速率约为1 nm/s)沉积了不同厚度的μc-Si:H薄膜材料.测试其表面形貌及晶化率,比较了不同衬底上高速生长的μc-Si:H薄膜生长机制及微结构的差异,最后得到适于高速沉积pin μc-Si:H太阳电池的μc-Si:H p型材料应具备的条件.
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| 关 键 词： | 微晶硅薄膜(μc-Si:H) 微结构 纵向均匀性 衬底形貌 高速沉积 薄膜生长机制 微结构 研究 growth mechanism rate high microstructure Study 条件 太阳电池 差异 高速生长 不同衬底 比较 晶化率 表面形貌 测试 薄膜材料 厚度 |
| 文章编号： | 1005-0086（2008）01-0054-04 |
| 收稿时间： | 2007-01-08 |
| 修稿时间： | 2007-05-25 |
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