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一种低电压的CMOS带隙基准源
引用本文:谢毅,朱云涛,邵丙铣. 一种低电压的CMOS带隙基准源[J]. 微电子学与计算机, 2005, 22(5): 110-113,127
作者姓名:谢毅  朱云涛  邵丙铣
作者单位:复旦大学国家微分析中心,上海,200433
摘    要:设计了一种用于集成电路内部的带隙基准源,采用了1.0V/0.18μmCMOS工艺。该电路利用电阻分压和高阶温度补偿,达到降低温度率数的目的,并具有好的电源抑制比。SPICE仿真结果表明,在0℃-100℃范围内度可达到18ppm/℃,其电源抑制比可达到62dB。

关 键 词:带隙基准源 温度系数 电源抑制比
文章编号:1000-7180(2005)05-110

A Low-Voltage CMOS Bandgap Reference Voltage
XIE Yi,ZHU Yun-tao,SHAO Bing-xian. A Low-Voltage CMOS Bandgap Reference Voltage[J]. Microelectronics & Computer, 2005, 22(5): 110-113,127
Authors:XIE Yi  ZHU Yun-tao  SHAO Bing-xian
Abstract:
Keywords:Bandgap reference   Temperature coefficient   Power supply rejection ratio (PSRR)  
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