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| 离子束外延生长（Ga，Mn，As）的退火研究 | |
| 引用本文： | 宋书林,陈诺夫,周剑平,柴春林,杨少延,刘志凯.离子束外延生长（Ga，Mn，As）的退火研究[J].真空科学与技术,2003,23(5):350-352. |
| 作者姓名： | 宋书林 陈诺夫 周剑平 柴春林 杨少延 刘志凯 |
| 作者单位： | 中国科学院半导体所半导体材料科学重点实验室,北京100083 |
| 摘 要： | 利用俄歇电子能谱(AES)和X射线衍射(XRD)分析了室温条件下离子束外延生长Ca、Mn、As样品，在不同的温度条件下进行退火后组分和元素分布的变化。结果表明退火有助于样品内部元素的均匀分布，温度为400℃会导致MnO2和Ga5.2Mn的结晶。 |
| 关 键 词： | 退火 低能离子束外延 GaAs衬底 |
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