| PLD法制备锑掺杂p型ZnO薄膜 |
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| 引用本文： | 潘新花,叶志镇,朱丽萍,顾修全,何海平. PLD法制备锑掺杂p型ZnO薄膜[J]. 半导体学报, 2007, 28(Z1): 279-281 |
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| 作者姓名： | 潘新花 叶志镇 朱丽萍 顾修全 何海平 |
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| 作者单位： | 潘新花（浙江大学硅材料国家重点实验室,杭州,310027）;叶志镇（浙江大学硅材料国家重点实验室,杭州,310027）;朱丽萍（浙江大学硅材料国家重点实验室,杭州,310027）;顾修全（浙江大学硅材料国家重点实验室,杭州,310027）;何海平（浙江大学硅材料国家重点实验室,杭州,310027） |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金 , 浙江省自然科学基金 |
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| 摘 要： | 采用脉冲激光沉积方法在石英衬底上生长了掺锑(Sb)的p型ZnO薄膜.X射线衍射测试表明薄膜具有c轴择优取向的结构特性,霍尔测试表明ZnO薄膜呈p型导电特性,XPS分析表明Sb掺入了ZnO薄膜,且Sb掺人ZnO中是占据Zn的位置,而不是O的晶格位置.通过优化温度获得了电学性能优良的p型ZnO薄膜,其电阻率为2.21Ω·cm,迁移率为1.23cm2/(V·s),空穴浓度为2.30×1018cm-3.
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| 关 键 词： | 脉冲激光沉积 p-ZnO 锑掺杂 |
| 文章编号： | 0253-4177(2007)S0-0279-03 |
| 修稿时间： | 2006-12-31 |
Fabrication of Sb-Doped p-Type ZnO Thin Films by PLD |
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| Pan Xinhua,Ye Zhizhen,Zhu Liping,Gu Xiuquan,He Haiping. Fabrication of Sb-Doped p-Type ZnO Thin Films by PLD[J]. Chinese Journal of Semiconductors, 2007, 28(Z1): 279-281 |
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| Authors: | Pan Xinhua Ye Zhizhen Zhu Liping Gu Xiuquan He Haiping |
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