| 氢等离子体在铁催石墨化作用下对CVD金刚石膜的刻蚀 |
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| 引用本文： | 满卫东,汪建华,王传新,马志斌,王升高,张宝华. 氢等离子体在铁催石墨化作用下对CVD金刚石膜的刻蚀[J]. 金刚石与磨料磨具工程, 2006, 0(5): 1-5 |
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| 作者姓名： | 满卫东 汪建华 王传新 马志斌 王升高 张宝华 |
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| 作者单位： | 1. 武汉工程大学等离子体化学与新材料重点实验室,武汉市,430073;中国科学院等离子体物理研究所,合肥市,230031
2. 武汉工程大学等离子体化学与新材料重点实验室,武汉市,430073 |
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| 基金项目： | 湖北省科技厅科技攻关项目;湖北省教育厅创新团队项目 |
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| 摘 要： | 在铁薄膜的催石墨化作用下研究了用氢等离子体刻蚀由微波等离子体化学气相沉积（MPCYD）制备的多晶金刚石厚膜的表面。其工艺为：自支撑的金刚石厚膜浸入饱和的三氯化铁水溶液中，然后平放在大气环境中干燥，将处理过后的金刚石膜放入MPCVD装置中，先用氢等离子体将氯化铁还原成铁，然后在800℃左右的温度下，利用铁对金刚石的催石墨化作用及氢等离子体的刻蚀作用将其表面刻蚀。刻蚀完后的金刚石用酸清洗，在丙酮溶液中漂洗，然后用SEM观察刻蚀效果，用Raman光谱对表面碳的结构进行了表征。最后用机械研磨法对金刚石样品表面进行研磨，并对研磨结果进行对比。实验结果表明，这种方法能够有选择地快速刻蚀金刚石膜的表面，破坏表面晶粒的完整度，降低表面耐磨性，从而提高对粗糙金刚石膜表面研磨的效率。
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| 关 键 词： | 金刚石膜 刻蚀 等离子体 |
| 文章编号： | 1006-852X(2006)05-0001-04 |
| 修稿时间： | 2006-04-15 |
Chemically etching vapor-deposited diamond films by using hydrogen plasma under graphitization effect of iron |
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| Man Weidong,Wang Jianhua,Wang Chuanxin,Ma Zhibin,Wang Shenggao,Zhang Baohua. Chemically etching vapor-deposited diamond films by using hydrogen plasma under graphitization effect of iron[J]. Diamond & Abrasives Engineering, 2006, 0(5): 1-5 |
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| Authors: | Man Weidong Wang Jianhua Wang Chuanxin Ma Zhibin Wang Shenggao Zhang Baohua |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | CVD |
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