| 单电子器件中电子在耦合能级上的几率分布 |
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| 引用本文： | 王义全,王传奎.单电子器件中电子在耦合能级上的几率分布[J].量子电子学报,2001,18(5):466-469. |
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| 作者姓名： | 王义全 王传奎 |
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| 作者单位： | 山东师范大学物理系 |
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| 基金项目： | 山东省自然科学基金资助项目（批准号Y2000A03）． |
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| 摘 要： | 两量子点耦合时，根据简并态微扰理论，单量子点的一个能级分裂为系统的两个能级，即对称态和反对称态，当单电子从外部隧穿进入一个量子点时，则电子在两耦合的量子点间振荡，本文讨论了电子在两能级上分布几率随时间的演化规律。
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| 关 键 词： | 量子点 耕 能级 电子器件 几率分布 |
| 文章编号： | 1007-5461(2001)05-0466-04 |
| 收稿时间： | 2000/5/29 |
| 修稿时间： | 2000年5月29日 |
The Probability of Single Electron on Energy Levels of Two-coupled-quantum-dot System |
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| Wang Yiquan, Wang Chuankui.The Probability of Single Electron on Energy Levels of Two-coupled-quantum-dot System[J].Chinese Journal of Quantum Electronics,2001,18(5):466-469. |
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| Authors: | Wang Yiquan Wang Chuankui |
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| Abstract: | According to perturbation theory for degenerate energy level, a system of two coupled quantum dots has two energy levels-symmetric state energy level and anti-symmetric state energy level. When an electron tunnel in a quantum dot, it. oscillates in the system. We have studied the probability of one electron on the two energy levels. |
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| Keywords: | quantum dot symmetric state anti-symmetric state |
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