2~4 μm中红外锑化物半导体激光器研究进展（特邀）

2~4 μm波段是非常重要的红外大气窗口，工作在这个波段的激光器在气体检测，医疗美容和工业加工领域具有十分巨大的应用价值。锑化物半导体材料低维结构具有窄禁带直接跃迁发光的独特优势，是实现中红外波段半导体激光器的理想材料体系。近年来，国内外锑化物半导体激光器研究不断取得重要进展，先后实现了量子阱发光的波长拓展、大功率单管和阵列激光器的室温连续激射，也实现了多波段的单模激光器的室温连续工作。锑化物半导体低维材料组分复杂、界面钝化性质特殊，材料外延和工艺制备技术难度较大。文中从锑化物半导体激光器的基本原理出发，综述了国内外研究现状，介绍了锑化物材料低维结构激光器的设计方案、关键制备技术的主要进展，分析了今后该类激光器性能优化的重点研发方向等。