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| 高迁移率GaAs外延片制备的研究 | |
| 引用本文： | 王林海,袁炳辉,付浚,陆永庆.高迁移率GaAs外延片制备的研究[J].河北工业大学学报,1995(2). |
| 作者姓名： | 王林海 袁炳辉 付浚 陆永庆 |
| 作者单位： | 天津红桥职大 |
| 摘 要： | 提出了在ＧａＡｓ液相外延过程中，采用生长高纯度缓冲层、高温烘烤生长系统以及回熔衬底片等工艺，获得具有电参数ｎ＝１０１６～１０１７ｃｍ－３，μ＝４～５×１０３ｃｍ２／ｖ·ｓ（３００Ｋ）的ＧａＡｓ液相外延片．总结出生长高迁移率ＧａＡｓ外延片的制备方法． |
| 关 键 词： | 液相外延，电子迁移率，高温烘烤，衬底回熔，缓冲层 |
The Growth of GaAs Epitaxial Wafer with High Mobility |
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| Wang Linhai, Yuan Binghui, Fu Jun, LuYongqing.The Growth of GaAs Epitaxial Wafer with High Mobility[J].Journal of Hebei University of Technology,1995(2). | |
| Authors: | Wang Linhai Yuan Binghui Fu Jun LuYongqing |
| Affiliation: | Wang Linhai; Yuan Binghui; Fu Jun; LuYongqing |
| Abstract: | |
| Keywords: | Liquid phase epitaxy Electron mobility High temperature baking Substrate remelting Buffer layer |
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