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RDX单晶的生长诱导位错表征
引用本文:周小清,李洪珍,徐容,王述存,黄明.RDX单晶的生长诱导位错表征[J].含能材料,2013,21(3):301-305.
作者姓名:周小清  李洪珍  徐容  王述存  黄明
作者单位:中国工程物理研究院化工材料研究所, 四川 绵阳 621900;中国工程物理研究院化工材料研究所, 四川 绵阳 621900;中国工程物理研究院化工材料研究所, 四川 绵阳 621900;中国工程物理研究院化工材料研究所, 四川 绵阳 621900;中国工程物理研究院化工材料研究所, 四川 绵阳 621900
基金项目:国家自然科学基金面上项目(No.11072225)和中国工程物理研究院面上基金(No:2010B0302040,2011B0201032)
摘    要:采用溶剂蒸发法,以丙酮为溶剂,在一定结晶条件下可获得晶体质量好的厘米级RDX大单晶(约40 mm×40 mm×30 mm)。用高分辨X射线三晶衍射(TAXRD)摇摆曲线(ω扫描) 研究了RDX单晶的生长诱导位错,用Split Pearson Ⅶ分析函数并对摇摆曲线进行了拟合,得到(210)、(200)和(111)晶面的摇摆曲线半高宽(FWHM),其值分别为35.35 arcsec , 45.31 arcsec和77.92 arcsec,说明(111)晶面的位错密度最大,线生长速度最快; (210)晶面的位错密度最小,线生长速度最慢,RDX单晶呈现出各向异性。 

关 键 词:有机化学    RDX大单晶    摇摆曲线    生长诱导位错  
收稿时间:2012/5/15 0:00:00
修稿时间:9/3/2012 12:00:00 AM

Growth-induced Dislocation of RDX Single Crystal
ZHOU Xiao-qing,LI Hong-zhen,XU Rong,WANG Shu-cun and HUANG Ming.Growth-induced Dislocation of RDX Single Crystal[J].Chinese Journal of Energetic Materials,2013,21(3):301-305.
Authors:ZHOU Xiao-qing  LI Hong-zhen  XU Rong  WANG Shu-cun and HUANG Ming
Abstract:
Keywords:organic chemistry  RDX bulk single crystal  rocking curve  growth-induced dislocation
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