| 多热源合成SiC温度场的变化规律研究 |
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| 引用本文： | 陈杰,王晓刚.多热源合成SiC温度场的变化规律研究[J].硅酸盐通报,2010,29(5):1036-1040. |
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| 作者姓名： | 陈杰 王晓刚 |
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| 作者单位： | 西安科技大学材料科学与工程学院,西安,710054 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金资助项目，陕西省教育厅专项资助项目 |
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| 摘 要： | 通过对多热源合成碳化硅温度场的数值模拟,研究了碳化硅冶炼过程中的温度变化规律,揭示了多热源合成SiC节能增产的机理.研究表明,由于多热源之间的屏蔽作用与热能叠加作用,使高温区域热能扩散和物质扩散动力更强,高温区分布更宽,炉内温场相对更均匀,导致多热源合成SiC技术具有明显的节能、降耗、提质、增产的特点,生产更安全.
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| 关 键 词： | 多热源合成SiC 温度场 数值模拟 |
Variation Law of Temperature Field in Multi-heat-source Synthesis SiC |
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| CHEN Jie,WANG Xiao-gang.Variation Law of Temperature Field in Multi-heat-source Synthesis SiC[J].Bulletin of the Chinese Ceramic Society,2010,29(5):1036-1040. |
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| Authors: | CHEN Jie WANG Xiao-gang |
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