| In_2O_3/Si衬底上的YBa_2Cu_3O_(7-x)高温超导薄膜的特性研究 |
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| 引用本文： | 曾有义,章壮健,罗维昂,蔡一民,沈孝良,孙云龙,秦关鸿,杨新菊,罗维昂.In_2O_3/Si衬底上的YBa_2Cu_3O_(7-x)高温超导薄膜的特性研究[J].真空科学与技术学报,1993(2). |
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| 作者姓名： | 曾有义 章壮健 罗维昂 蔡一民 沈孝良 孙云龙 秦关鸿 杨新菊 罗维昂 |
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| 作者单位： | 复旦大学现代物理研究所，复旦大学现代物理研究所，复旦大学现代物理研究所，复旦大学现代物理研究所，复旦大学分析与测试中心，复旦大学现代物理研究所，复旦大学现代物理研究所，复旦大学现代物理研究所，复旦大学现代物理研究所 上海 200433，上海 200433，上海 200433，上海 200433，上海 200433，上海 200433，上海 200433，上海 200433 |
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| 摘 要： | 本文介绍用直流平面磁控溅射方法制备In_2O_3导电薄膜,以该导电薄膜为缓冲层,在硅衬底上沉积YBCO高温超导薄膜。用大直径平面磁控溅射,原位退火方法制备YBCO超导薄膜,用In_2O_3缓冲层来减少YBCO薄膜和Si衬底之间的相互扩散。所制得的YBCO高温超导薄膜的零电阻温度为81K,转变温度为98K,用X光衍射(XRD)方法来分析其微结构,结果表明其微观结构是C轴择优取向。用俄歇微探针(AES)来研究YBCO和In_2O_3、In_2O_3和Si之间的相互扩散情况,结果表明In_2O_3导电缓冲层基本上阻挡住YBCO和Si之间的相互扩散。
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