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| 用于永久性存贮器Pb（Zr0.52Ti0.48）O3薄膜的特性 | |
| 引用本文： | 许宇庆,陶向明.用于永久性存贮器Pb（Zr0.52Ti0.48）O3薄膜的特性[J].真空科学与技术,1995,15(2):140-144. |
| 作者姓名： | 许宇庆 陶向明 |
| 摘 要： | 用磁控射频溅射方法制备了Ｐｂ（Ｚｒ０．５２Ｔｉ０．４８）Ｏ３薄膜。研究了制膜工艺对Ｐｂ（Ｚ０．５２Ｔｉ０．４８）Ｏ３薄膜相、结晶性和铁电特性的影响。实验表明，所制备的薄膜表面致密，光滑。此Ｐｂ（Ｚｒ０．５２Ｔｉ０．４８）Ｏ３薄膜以钙钛矿结构为主，并具有较高的剩余极化、饱和极化和较小的矫顽场。从实验结果分析得。通过控制工艺条件所制得的单相钙钛矿型的Ｐｂ（Ｚｒ０．５２Ｔｉ０．４８）Ｏ３薄膜的铁电特性得 |
| 关 键 词： | 铁电 薄膜 贮存器 |
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