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| 多种栅结构SOI NMOS器件ESD特性研究 | |
| 作者单位： | ;1.电子元器件可靠性物理及其应用技术重点实验室 |
| 摘 要： | 研究了不同栅结构对栅接地SOI NMOS器件ESD(Electrostatic discharge,静电放电)特性的影响,结果发现环源结构的SOI NMOS器件抗ESD能力最强,而环栅结构的器件抗ESD能力最弱,其原因可能与器件有缘区面积和电流分布有关。 |
| 关 键 词： | 静电保护 绝缘层上硅 传输线脉冲测试 栅接地N型金属-氧化层-半导体器件 |
Study of ESD Characteristics on Variable Kinds of Gate Structures in SOI MOS Device |
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| Abstract: | |
| Keywords: | |