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| 高压SiC JFET研究进展 | |
| 作者单位： | ;1.微波毫米波单片集成电路和模块重点实验室;2.南京电子器件研究所 |
| 摘 要： | 利用自主生长的SiC外延材料,采用干法刻蚀μm级密集深槽工艺技术和高能、高剂量离子注入结合高温激活退火方法,进行SiC电力电子JFET器件的开发,研制出常开型、常关型SiC JFET器件,反向阻断电压都达到1 700V,正向电流达3.5A。常开型JFET的夹断电压在-1.7V,最大跨导Gm为0.52S,比导通电阻最小到4.6mΩ.cm2;常关型JFET的夹断电压在0.9V,最大跨导Gm为1.07S,比导通电阻最小到4.2mΩ.cm2。常开型与常关型器件的栅流开启时栅电压差距小,常开型VG=3.5V时,栅流开始出现,常关型VG=3.3V时,栅流开始出现。 |
| 关 键 词： | 碳化硅 电力电子 垂直沟道结型场效应晶体管 |
Progress of a High Voltage SiC JFET |
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| Abstract: | |
| Keywords: | |