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| 抗单粒子翻转效应的SRAM研究与设计 | |
| 作者单位： | ;1.西北工业大学计算机学院 |
| 摘 要： | 在空间应用和核辐射环境中,单粒子翻转(SEU)效应严重影响SRAM的可靠性。采用错误检测与校正(EDAC)和版图设计加固技术研究和设计了一款抗辐射SRAM芯片,以提高SRAM的抗单粒子翻转效应能力。内置的EDAC模块不仅实现了对存储数据"纠一检二"的功能,其附加的存储数据错误标志位还简化了SRAM的测试方案。通过SRAM原型芯片的流片和测试,验证了EDAC电路的功能。与三模冗余技术相比,所设计的抗辐射SRAM芯片具有面积小、集成度高以及低功耗等优点。 |
| 关 键 词： | 静态随机存储器 辐射加固技术 单粒子翻转 错误检测与校正 |
Research and Design of SEU-Hardened SRAM Chip |
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