| Low-Microwave Loss Coplanar Waveguides Fabricated on High-Resistivity Silicon Substrate |
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| 作者姓名： | Yang Hu Zhu Hongliang Xie Hongyun Zhao Lingjuan Zhou Fan Wang Wei |
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| 作者单位： | 中国科学院半导体研究所 光电子研究发展中心，北京 100083;中国科学院半导体研究所 光电子研究发展中心，北京 100083;中国科学院半导体研究所 光电子研究发展中心，北京 100083;中国科学院半导体研究所 光电子研究发展中心，北京 100083;中国科学院半导体研究所 光电子研究发展中心，北京 100083;中国科学院半导体研究所 光电子研究发展中心，北京 100083 |
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| 基金项目： | 科技部科研项目
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国家科技攻关项目
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中国科学院资助项目 |
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| 摘 要： | 分别在普通的低阻硅衬底、带有3μm厚氧化硅介质层的低阻硅衬底和高阻硅衬底上设计并制备了微波传输共面波导.结果表明,低阻硅衬底导致过高的微波损耗从而不能使用,通过加氧化硅介质层,微波损耗可以大大减少,但是需要较厚的氧化硅厚度.直接制备在高阻硅衬底上的共面波导在所测试的26GHz的频率范围内获得低于2dB/cm的微波损耗,而且工艺十分简单.
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| 关 键 词： | 共面波导 高阻硅 微波损耗 高频 光电子封装 coplanar waveguides high-resistivity silicon microwave loss high frequency optoelectronic packaging 高阻 硅衬底 微波损耗 共面波导 Silicon Substrate Coplanar Waveguides process simple range microwave loss lower transmission lines results show high used substrates silicon oxide interlayer different |
| 文章编号： | 0253-4177(2006)01-0001-04 |
| 收稿时间： | 08 15 2005 12:00AM |
| 修稿时间： | 09 21 2005 12:00AM |
Low-Microwave Loss Coplanar Waveguides Fabricated on High-Resistivity Silicon Substrate |
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| Yang Hu,Zhu Hongliang,Xie Hongyun,Zhao Lingjuan,Zhou Fan,Wang Wei.Low-Microwave Loss Coplanar Waveguides Fabricated on High-Resistivity Silicon Substrate[J].Chinese Journal of Semiconductors,2006,27(1):1-4. |
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| Authors: | Yang Hu Zhu Hongliang Xie Hongyun Zhao Lingjuan Zhou Fan and Wang Wei |
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| Affiliation: | Institute of Semiconductors,Chinese Academy of Sciences,Beijing 100083,China;Institute of Semiconductors,Chinese Academy of Sciences,Beijing 100083,China;Institute of Semiconductors,Chinese Academy of Sciences,Beijing 100083,China;Institute of Semiconductors,Chinese Academy of Sciences,Beijing 100083,China;Institute of Semiconductors,Chinese Academy of Sciences,Beijing 100083,China;Institute of Semiconductors,Chinese Academy of Sciences,Beijing 100083,China |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | coplanar waveguides high-resistivity silicon microwave loss high frequency optoelectronic packaging |
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