HgCdTe线列和Si CCD互连的一维红外探测器

日本富士通研究所的泷川、伊藤、土肥、今井、植田等人,在1978年度的日本电子通信学会全国综合大会上,介绍了他们把Hg_(0.8)Cd_(0.2)Te红外探测器阵列和硅电荷耦合移位寄存器互连、制成的一维红外线成像器件(资料号S11-1)。他们工作的特点是提高了注入效率,并把元件之间的灵敏度偏差降低到了1/10。这次使用的是10元阵列。