| SiGe／Si HBT离子注入自对准的研究 |
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| 引用本文： | 邹德恕 高国. SiGe／Si HBT离子注入自对准的研究[J]. 半导体技术, 1998, 23(5): 36-39 |
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| 作者姓名： | 邹德恕 高国 |
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| 作者单位： | 北京工业大学电子工程系 |
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| 摘 要： | 介绍了离子注入技术自对准制作ＳｉＧｅ／ＳｉＨＢＴ的方法，分析了对器件特性的影响。
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| 关 键 词： | 离子注入 自对准 半导体器件 |
Ion Implantation to Self Aligned SiGe/Si HBT |
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| Zou Deshu,Gao Guo,Chen Jianxin,Shen Guangdi,Zhang Jingyan,Du Jinyu,Deng Jun. Ion Implantation to Self Aligned SiGe/Si HBT[J]. Semiconductor Technology, 1998, 23(5): 36-39 |
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| Authors: | Zou Deshu Gao Guo Chen Jianxin Shen Guangdi Zhang Jingyan Du Jinyu Deng Jun |
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| Abstract: | The ion implantation used for self aligned SiGe/Si HBT is pressented.And the effect on device characteristics analyzed. |
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| Keywords: | Ion implantation Self aligned SiGe/Si HBT |
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